PBRP123ES,126是恩智浦半導(dǎo)體旗下的單個預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PBRP123ES,126現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PBRP123ES,126 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
PBRP123ES,126 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms。
PBRP123ES,126 共有 10 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（500 mW）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads）、Supplier Device Package（TO-92-3） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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