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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | SC-75 |
PDTC123TE,115 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V。
PDTC123TE,115 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(150mV @ 500μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(1μA)、Power - Max(150 mW)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(SC-75, SOT-416) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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