| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 250 mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
MMBT5551-AQ 是由 泰迪半導體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。BJT, SOT-23, 160V, 600mA, 0, Aut。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA、Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)。
MMBT5551-AQ 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 10mA, 5V）、Power - Max（250 mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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