| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
BCP55-6 是由 泰迪半導體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 60V 1A SOT223。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 1 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
BCP55-6 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（40 @ 150mA, 2V）、Power - Max（1.3 W）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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