MMBT5179是美國國家半導(dǎo)體旗下的雙極射頻晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MMBT5179現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MMBT5179 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 2GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
| Gain | 15dB |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
MMBT5179 是由 美國國家半導(dǎo)體 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 2GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz、Gain: 15dB。
MMBT5179 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（225mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（25 @ 3mA, 1V）、Current - Collector (Ic) (Max)（50mA）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 美國國家半導(dǎo)體：美國國家半導(dǎo)體（National Semiconductor），這家在半導(dǎo)體行業(yè)擁有悠久歷史和卓越聲譽的**元器件**企業(yè)，以其創(chuàng)新的技術(shù)和高質(zhì)量的**電子元件**聞名于世。品牌創(chuàng)立于1959年，總部設(shè)在美國，歷經(jīng)數(shù)十載的沉淀與發(fā)展，已成為高性能模擬和混合信號**IC芯片**領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者之一。國家半導(dǎo)體始終致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的**元器件**解決方案，其產(chǎn)品線廣泛，涵蓋了模擬信號處理、電源管理、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、放大器、以及接口**IC芯片**等多個關(guān)鍵領(lǐng)域，為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心功能提供強有力的支持。
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