| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
PEMB20,115 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANSISTORS>100MHZ。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms。
PEMB20,115 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 20mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Power - Max（300mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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