| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
NST847BPDP6T5G 是由 安森美 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)。
NST847BPDP6T5G 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V）、Power - Max（350mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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