NSV60101DMR6T1G是安森美旗下的雙極晶體管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NSV60101DMR6T1G現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供NSV60101DMR6T1G datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 530mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | SC-74 |
NSV60101DMR6T1G 是由 安森美 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 1A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
NSV60101DMR6T1G 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（250 @ 100mA, 5V）、Power - Max（530mW）、Frequency - Transition（200MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美代理商，專業(yè)供應(yīng)NSV60101DMR6T1G等雙極晶體管陣列 產(chǎn)品。如您需要NSV60101DMR6T1G的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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