| Product Status | Active |
| Transistor Type | 4 PNP (Quad) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 2W |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 14-DIP |
| Supplier Device Package | 14-DIP |
TPQ3906 是由 安森美半導體 制造的 雙極晶體管陣列 類電子元器件。TPQ QUAD TRANSISTOR ARRAYS。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: 4 PNP (Quad)、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V、Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V、Power - Max: 2W。
TPQ3906 共有 11 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Frequency - Transition（200MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TA)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（14-DIP）、Supplier Device Package（14-DIP） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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