| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 11GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB @ 900MHz |
| Gain | 18dB |
| Power - Max | 450mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
BFU530AR 是由 恩智浦半導體 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 11GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz、Gain: 18dB。
BFU530AR 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（450mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 10mA, 8V）、Current - Collector (Ic) (Max)（40mA）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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