| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 800 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 μA @ 200 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOD-123F |
| Supplier Device Package | PMDU |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
RF081MM2STR 是由 羅姆半導體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V、Current - Average Rectified (Io): 800mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 800 mA、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
RF081MM2STR 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（25 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（10 μA @ 200 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOD-123F）、Supplier Device Package（PMDU） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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