1N5404G-T是德利通旗下的單二極管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供1N5404G-T現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供1N5404G-T datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 3 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 μs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 μA @ 400 V |
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
1N5404G-T 是由 德利通 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V、Current - Average Rectified (Io): 3A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A、Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)。
1N5404G-T 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（2 μs）、Current - Reverse Leakage @ Vr（5 μA @ 400 V）、Capacitance @ Vr, F（40pF @ 4V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（DO-201AD, Axial） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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