BAS3010B03WE6327HTSA1是英飛凌科技旗下的單二極管 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供BAS3010B03WE6327HTSA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BAS3010B03WE6327HTSA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 μA @ 30 V |
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 5V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-76, SOD-323 |
| Supplier Device Package | PG-SOD323-3D |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 125°C |
BAS3010B03WE6327HTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V、Current - Average Rectified (Io): 1A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
BAS3010B03WE6327HTSA1 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Reverse Leakage @ Vr（20 μA @ 30 V）、Capacitance @ Vr, F（40pF @ 5V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SC-76, SOD-323）、Supplier Device Package（PG-SOD323-3D） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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