XBS104P11R-G是拓力半導(dǎo)體旗下的單二極管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供XBS104P11R-G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供XBS104P11R-G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 560 mV @ 1 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 μA @ 40 V |
| Capacitance @ Vr, F | 230pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOD-123 |
| Supplier Device Package | SOD-123P |
| Operating Temperature - Junction | 125°C |
XBS104P11R-G 是由 拓力半導(dǎo)體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123P。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V、Current - Average Rectified (Io): 1A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
XBS104P11R-G 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Reverse Leakage @ Vr（500 μA @ 40 V）、Capacitance @ Vr, F（230pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SOD-123）、Supplier Device Package（SOD-123P） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 拓力半導(dǎo)體：Torex Semiconductor Ltd.，中文名為拓力半導(dǎo)體，是一家在全球電子元器件市場享有盛譽的領(lǐng)先企業(yè)，尤其專注于為電池供電和追求極致能效的應(yīng)用提供高性能的CMOS電源管理集成電路（IC芯片）。拓力半導(dǎo)體深耕于CMOS模擬技術(shù)領(lǐng)域，憑借其在低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）、電壓檢測器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等核心產(chǎn)品線上的卓越表現(xiàn)，贏得了廣大工程師和制造商的信賴。其獨特之處在于，通過精密的激光修整技術(shù)，拓力半導(dǎo)體能夠提供高達1%甚至2%的高精度電子元件，并且許多器件支持以0.05V的微小步進進行電壓調(diào)節(jié)，為設(shè)計者提供了前所未有的靈活性和精確控制能力，這在任何需要精確電壓軌的精密設(shè)備中都至關(guān)重...
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