產品概述
TP65H070LSG是Transphorm公司推出的一款高性能GaN FET（氮化鎵場效應晶體管），屬于單 FET、MOSFET分類下的關鍵產品。作為Transphorm全球領先的寬禁帶半導體解決方案提供商，TP65H070LSG憑借其創新的GaNFET技術，為高電壓電源轉換系統帶來了前所未有的性能提升。這款N溝道、650V、25A的GaNFET，采用緊湊的3PQFN (8x8)封裝，是當前電子元器件市場上備受關注的高效能組件。如果您正在尋找高品質的GaN解決方案，Transphorm的TP65H070LSG將是您的理想選擇。凌創輝電子有限公司是您值得信賴的電子元器件分銷商，致力于為您提供最優質的產品和專業的服務。了解更多關于Transphorm品牌的信息，請訪問Transphorm品牌頁面。如需了解更多單 FET、MOSFET產品，請訪問分類頁面。
核心規格參數
| 參數 | 值 |
|---|---|
| 產品狀態 | Discontinued at Digi-Key (請注意，此信息僅供參考，請聯系我們確認最新庫存) |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Cascode 氮化鎵場效應晶體管) |
| 漏源電壓 (Vdss) | 650 V |
| 連續漏極電流 (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 驅動電壓 (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 導通電阻 (Rds On) (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| 閾值電壓 (Vgs(th)) (Max) @ Id | 4.8V @ 700μA |
| 柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| 最大柵源電壓 (Vgs (Max)) | ±20V |
| 輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
| 最大功耗 (Max) | 96W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 (Surface Mount) |
| 供應商器件封裝 | 3-PQFN (8x8) |
產品特性與優勢
TP65H070LSG 采用先進的GaNFET技術，相比傳統的硅基MOSFET，在多個關鍵性能指標上展現出顯著優勢：
- 高電壓能力: 650V 的漏源電壓 (Vdss) 使得該器件非常適合高電壓應用，能有效應對電網電壓波動和電源瞬變。
- 極低的導通電阻 (Rds On): 在 16A 電流和 10V 柵極驅動電壓下，僅為 85mOhm 的 Rds On，這意味著極低的導通損耗，有助于提高系統效率并減少散熱需求。
- 快速開關速度: GaNFET 的內在特性使其能夠實現比傳統MOSFET更快的開關速度，從而減小開關損耗，允許更高的開關頻率，進而減小無源器件尺寸，實現系統小型化。
- 高功率密度: 96W 的最大功耗 (Tc) 和 25A 的連續漏極電流，結合緊湊的 8x8 3PQFN 封裝，使其能夠在大功率應用中實現極高的功率密度。
- 寬工作溫度范圍: -55°C 至 150°C 的結溫范圍，確保了器件在嚴苛環境下的穩定可靠運行。
- 優化的柵極驅動: 10V 的驅動電壓以及±20V的最大柵源電壓，提供了靈活的驅動設計空間。
應用領域
憑借其出色的性能和可靠性，TP65H070LSG 廣泛應用于以下領域：
- 服務器電源
- 電信電源
- 數據中心電源
- 電動汽車充電器
- 工業電源
- 太陽能逆變器
- 有源PFC電路
- DC-DC轉換器
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