為深入貫徹落實(shí)習(xí)近平總書(shū)記關(guān)于促進(jìn)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展和未來(lái)產(chǎn)業(yè)建設(shè)布局的重要指示精神，加快推動(dòng)北京市原子級(jí)制造領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局編制了《北京市原子級(jí)制造創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2026-2028年）》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《行動(dòng)計(jì)劃》）。
原子級(jí)制造通過(guò)在原子尺度精準(zhǔn)操控物質(zhì)結(jié)構(gòu)，突破傳統(tǒng)制造的精度與性能極限，是支撐半導(dǎo)體、新材料等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心技術(shù)，更是決定國(guó)家在高端制造領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力與話語(yǔ)權(quán)的戰(zhàn)略抓手。
《行動(dòng)計(jì)劃》重點(diǎn)面向半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域開(kāi)展技術(shù)與裝備攻關(guān)，圍繞原子級(jí)制造軟件、加工裝備、構(gòu)筑裝備、檢測(cè)裝備4個(gè)方向，部署20項(xiàng)攻關(guān)任務(wù)。計(jì)劃到2028年，開(kāi)發(fā)原子級(jí)制造軟件工具5種，研制至少10項(xiàng)原子級(jí)制造創(chuàng)新裝備，形成10類(lèi)原子級(jí)制造典型應(yīng)用和解決方案，初步構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的原子級(jí)制造技術(shù)創(chuàng)新高地和典型應(yīng)用標(biāo)桿。
《行動(dòng)計(jì)劃》全文如下：
北京市原子級(jí)制造創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2026—2028年）
為加快推動(dòng)本市原子級(jí)制造產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，特制定本計(jì)劃。圍繞半導(dǎo)體、新材料等領(lǐng)域典型應(yīng)用，加快突破原子級(jí)制造工業(yè)軟件和重點(diǎn)裝備。力爭(zhēng)到2028年，面向半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)5種原子級(jí)制造軟件工具，研制不少于10項(xiàng)原子級(jí)制造創(chuàng)新裝備，形成10類(lèi)原子級(jí)制造典型應(yīng)用和解決方案，初步構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的原子級(jí)制造技術(shù)創(chuàng)新高地和典型應(yīng)用標(biāo)桿。
一、實(shí)施原子級(jí)制造軟件支撐工程
1.開(kāi)發(fā)原子級(jí)動(dòng)態(tài)仿真軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克量子效應(yīng)、界面態(tài)調(diào)控、缺陷演化機(jī)制等技術(shù)，應(yīng)用人工智能技術(shù)，研發(fā)支持原子級(jí)精準(zhǔn)建模、多場(chǎng)耦合模擬、制程參數(shù)優(yōu)化、質(zhì)量監(jiān)測(cè)的仿真軟件，提升原子級(jí)制造預(yù)測(cè)精度、工藝仿真效率與制造過(guò)程可調(diào)控性。
2.開(kāi)發(fā)原子級(jí)制造工藝設(shè)計(jì)軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級(jí)界面性質(zhì)預(yù)測(cè)、動(dòng)態(tài)模擬及界面材料設(shè)計(jì)等技術(shù)，建立面向原子級(jí)制造界面服役行為的原子尺度模擬預(yù)測(cè)軟件，支撐原子級(jí)精度表面材料去除、接觸界面原子級(jí)磨損調(diào)控等工藝實(shí)現(xiàn)。
3.開(kāi)發(fā)原子級(jí)相變調(diào)控軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級(jí)相結(jié)構(gòu)演化、路徑篩選、晶界模擬技術(shù)瓶頸，研發(fā)遍歷性相變搜索與調(diào)控軟件，支撐電子器件失效性及良品率工藝改良性研究。
4.開(kāi)發(fā)原子級(jí)表面檢測(cè)軟件。支持企業(yè)攻克原子級(jí)表面檢測(cè)關(guān)鍵技術(shù)，研制檢測(cè)裝備配套軟件，支撐等離子輔助拋光、彈性發(fā)射加工、離子束拋光等在機(jī)械平坦化設(shè)備上實(shí)現(xiàn)工程應(yīng)用。
5.構(gòu)建原子級(jí)制造基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)。支持高校院所和企業(yè)構(gòu)建原子級(jí)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、材料性質(zhì)、器件性能的跨尺度預(yù)測(cè)技術(shù)框架，建立標(biāo)準(zhǔn)化的原子級(jí)制造理論數(shù)據(jù)庫(kù)，為原子制造過(guò)程的結(jié)構(gòu)篩選、逆向設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化等提供數(shù)據(jù)支持。
二、實(shí)施原子級(jí)加工裝備攻關(guān)工程
1.攻關(guān)單晶硅晶圓埃米級(jí)去除裝備。支持企業(yè)開(kāi)展光輔助化學(xué)機(jī)械拋光、電輔助化學(xué)機(jī)械拋光、等離子體輔助拋光、超聲輔助化學(xué)機(jī)械拋光等核心技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)單晶硅晶圓去除率達(dá)到埃米級(jí)，表面起伏達(dá)到原子級(jí)精度，滿(mǎn)足半導(dǎo)體前道工序晶圓制備工藝需求。
2.攻關(guān)硅晶圓原子級(jí)精度刻蝕裝備。支持企業(yè)開(kāi)展原子層精確刻蝕控制技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)原子精度硅基晶圓刻蝕，滿(mǎn)足半導(dǎo)體先進(jìn)制程產(chǎn)線需求，刻蝕片內(nèi)均勻性、刻蝕片間均勻性等指標(biāo)滿(mǎn)足半導(dǎo)體中段工藝刻蝕工藝需求。
3.攻關(guān)半導(dǎo)體晶圓微米級(jí)減薄裝備。支持企業(yè)開(kāi)展半導(dǎo)體晶圓封裝原子級(jí)減薄控制技術(shù)攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)12英寸鍵合晶圓單邊可減薄到微米級(jí)，滿(mǎn)足先進(jìn)封裝、高帶寬存儲(chǔ)器堆疊表面加工需求。
4.攻關(guān)超高速軸承材料制備裝備。支持高校院所和企業(yè)開(kāi)展超滑近零損傷材料攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)航空航天等領(lǐng)域高性能核心運(yùn)動(dòng)表面的磨損率量級(jí)優(yōu)化，滿(mǎn)足高可靠長(zhǎng)壽命軸承等核心零部件的制造需求。
5.攻關(guān)二維金屬材料制備裝備。支持高校院所和企業(yè)開(kāi)展范德華擠壓等技術(shù)攻關(guān)，研制二維金屬擠壓裝備，實(shí)現(xiàn)材料厚度達(dá)到納米級(jí)的多種二維金屬制備。
6.攻關(guān)半導(dǎo)體超高真空環(huán)境保持裝備。支持企業(yè)開(kāi)展原子級(jí)制造超高真空離子復(fù)合泵核心部件攻關(guān)，提升超高真空泵對(duì)氫氣、甲烷等氣體抽送速度，滿(mǎn)足半導(dǎo)體制造腔體超高真空使用需求。
三、實(shí)施原子級(jí)構(gòu)筑裝備攻關(guān)工程
1.攻關(guān)薄膜沉積裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克高均勻性、薄膜表面低顆粒水平控制技術(shù)，研制金屬鎢、氧化鋁、氮化硅等材料薄膜沉積裝備，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)厚度薄膜制備。
2.攻關(guān)靶材制備裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克材料提純、晶體生長(zhǎng)與取向控制等核心技術(shù)，研制單晶銅電鑄原子級(jí)構(gòu)筑等裝備，實(shí)現(xiàn)單晶銅靶材規(guī)模化制備。
3.攻關(guān)外延生長(zhǎng)裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級(jí)精度外延生長(zhǎng)核心技術(shù)，研制二維半導(dǎo)體材料外延裝備，實(shí)現(xiàn)8英寸晶圓二硫化鉬等單原子層薄膜制備。
4.攻關(guān)離子注入裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克離子生成、加速、篩選、注入及后處理等精準(zhǔn)摻雜控制技術(shù)，研制離子注入裝備，提升束流均勻性、平行度、最大發(fā)散角、能量精度控制能力，支撐半導(dǎo)體先進(jìn)制程工藝。
5.攻關(guān)原子級(jí)圖案化結(jié)構(gòu)構(gòu)筑裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克原子自組裝、掃描探針、納米壓印等核心技術(shù)，研制原子級(jí)圖案化結(jié)構(gòu)構(gòu)筑裝備，在宏觀柔性基底表面實(shí)現(xiàn)多種電子納米材料圖案高精度構(gòu)筑，滿(mǎn)足柔性電子器件制造需求。
6.攻關(guān)硅基可控碳原子連續(xù)沉積裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克特種氣氛條件下，大尺寸、連續(xù)化、硅基碳原子連續(xù)沉積裝備，研制高定向碳膜與硅晶圓復(fù)合材料，實(shí)現(xiàn)高靈敏特種傳感器和超高導(dǎo)熱硅晶圓制備。
四、實(shí)施原子級(jí)性能測(cè)量裝備攻關(guān)工程
1.攻關(guān)激光干涉測(cè)量裝備。支持企業(yè)攻克光波相位穩(wěn)定性控制與納米級(jí)運(yùn)動(dòng)誤差抑制等核心技術(shù)，研制亞埃級(jí)邁克爾遜激光干涉測(cè)量裝備，實(shí)現(xiàn)氣浮工件臺(tái)超精密位置測(cè)量，滿(mǎn)足前道圖形制作裝備實(shí)現(xiàn)套刻精度的測(cè)量表征需求。
2.攻關(guān)封裝檢測(cè)裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克高分辨率磁場(chǎng)探測(cè)、高精度溫度場(chǎng)測(cè)量等核心技術(shù)，研制磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)、原子力、掃描電鏡等微納顯微測(cè)量裝備，滿(mǎn)足先進(jìn)封裝集成電路芯片失效分析和原位缺陷定位需求。
3.攻關(guān)超低濃度污染物檢測(cè)裝備。支持企業(yè)攻克高靈敏度傳感機(jī)制設(shè)計(jì)，研制二維材料調(diào)控傳感芯片測(cè)試關(guān)鍵部件，實(shí)現(xiàn)2～12英寸二維材料光電傳感芯片晶圓制備，滿(mǎn)足環(huán)境小分子監(jiān)測(cè)如ppb級(jí)氣體傳感測(cè)量需求。
五、實(shí)施原子級(jí)制造應(yīng)用突破工程
1.面向半導(dǎo)體制造、新材料創(chuàng)制等領(lǐng)域，在半導(dǎo)體拋光、沉積、減薄、檢測(cè)以及二維材料制備、柔性電子器件材料制備、單晶銅靶材制備、特種粉末材料制備等方面打造原子級(jí)制造典型應(yīng)用。
2.聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域先進(jìn)制程芯片制造與新材料領(lǐng)域特殊性能材料規(guī)模化創(chuàng)制需求，開(kāi)展原子級(jí)制造工藝技術(shù)、核心裝備的成熟度提升，以及典型場(chǎng)景原子級(jí)制造集成驗(yàn)證，牽引和帶動(dòng)原子級(jí)制造技術(shù)與裝備“成組連線”應(yīng)用試點(diǎn)。
六、保障措施
梯度培育原子級(jí)制造領(lǐng)域科技型中小企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)，創(chuàng)新型中小企業(yè)、專(zhuān)精特新中小企業(yè)、專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)。加強(qiáng)瞪羚企業(yè)、獨(dú)角獸企業(yè)和制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)的識(shí)別和培育。積極爭(zhēng)取國(guó)家專(zhuān)項(xiàng)資金支持，統(tǒng)籌市、區(qū)財(cái)政資金，組織原子級(jí)制造領(lǐng)域標(biāo)志性產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。將原子級(jí)制造作為“創(chuàng)贏未來(lái)”路演方向，對(duì)企業(yè)實(shí)施的新技術(shù)新產(chǎn)品攻關(guān)驗(yàn)證、典型場(chǎng)景建設(shè)等早期創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目給予資金支持。鼓勵(lì)企業(yè)和高校引育高水平復(fù)合型人才，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)人才隊(duì)伍建設(shè)。推動(dòng)優(yōu)勢(shì)區(qū)域和產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)建設(shè)原子級(jí)制造產(chǎn)業(yè)育新平臺(tái)，強(qiáng)化用地保障。推動(dòng)設(shè)立原子級(jí)制造標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)，建設(shè)原子級(jí)制造領(lǐng)域制造業(yè)中試平臺(tái)等載體，充分發(fā)揮原子級(jí)制造創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟優(yōu)勢(shì)，服務(wù)和支撐本市原子級(jí)制造產(chǎn)業(yè)高水平創(chuàng)新發(fā)展。
