據(jù)多方行業(yè)信源確認(rèn)，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭——三星電子與SK海力士已正式向主要客戶提出，將在2026年第一季度對(duì)服務(wù)器用DRAM產(chǎn)品實(shí)施大幅提價(jià)，漲幅普遍落在60%至70%區(qū)間。這一調(diào)整不僅創(chuàng)下近年來(lái)存儲(chǔ)芯片價(jià)格單季漲幅的新高，也標(biāo)志著AI驅(qū)動(dòng)下的算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)正深刻重塑整個(gè)供應(yīng)鏈格局。
此次漲價(jià)并非孤立事件，而是多重因素疊加的結(jié)果。一方面，生成式AI的爆發(fā)性增長(zhǎng)持續(xù)推高對(duì)高性能計(jì)算硬件的需求。以英偉達(dá)H200、AMD MI300X為代表的AI加速平臺(tái)對(duì)內(nèi)存帶寬和容量提出更高要求，不僅帶動(dòng)了HBM（高帶寬內(nèi)存）訂單激增，也間接拉動(dòng)了傳統(tǒng)服務(wù)器DDR4/DDR5 DRAM的消耗。
數(shù)據(jù)顯示，單臺(tái)AI服務(wù)器對(duì)DRAM的需求量達(dá)到了普通服務(wù)器的8倍，而北美四大云廠2026年AI基礎(chǔ)設(shè)施總投資預(yù)計(jì)將突破6000億美元，進(jìn)一步放大了通用服務(wù)器DRAM的需求缺口。三星、SK海力士等頭部企業(yè)為此紛紛將晶圓產(chǎn)能向利潤(rùn)率更高的HBM3E等高帶寬內(nèi)存傾斜，這類用于英偉達(dá)等AI加速器的高端產(chǎn)品，消耗的晶圓資源是傳統(tǒng)DRAM的3倍，直接擠壓了通用服務(wù)器DRAM的產(chǎn)能空間，而新產(chǎn)能落地周期長(zhǎng)達(dá)1.5-2年，短期難以填補(bǔ)缺口。
另一方面，美國(guó)在2025年底放寬部分高端AI芯片對(duì)華出口限制后，中國(guó)云服務(wù)商和大型科技企業(yè)迅速啟動(dòng)大規(guī)模采購(gòu)，進(jìn)一步加劇了全球DRAM產(chǎn)能的緊張局面。
面對(duì)供不應(yīng)求的市場(chǎng)環(huán)境，三星與SK海力士采取了極為強(qiáng)勢(shì)的供應(yīng)策略。兩家公司已明確拒絕拒絕簽訂2-3年的長(zhǎng)期供貨協(xié)議，堅(jiān)持按季度議價(jià)簽約，以此鎖定逐季漲價(jià)的節(jié)奏。有消息指出，包括谷歌、微軟、亞馬遜在內(nèi)的國(guó)際云廠商雖對(duì)成本上升表示擔(dān)憂，但鑒于AI基礎(chǔ)設(shè)施部署的緊迫性，多數(shù)已接受本輪漲價(jià)方案。更有傳聞稱，部分未能提前鎖定產(chǎn)能的客戶因交付風(fēng)險(xiǎn)面臨內(nèi)部問(wèn)責(zé)，凸顯當(dāng)前存儲(chǔ)資源的戰(zhàn)略價(jià)值。
市場(chǎng)的熱烈反應(yīng)也印證了行業(yè)對(duì)漲價(jià)邏輯的認(rèn)可，1月5日消息披露當(dāng)日，三星電子股價(jià)大漲近7.5%創(chuàng)下歷史新高，SK海力士股價(jià)同步上漲近3%，直接帶動(dòng)韓國(guó)首爾綜指收漲3.43%，創(chuàng)下收盤(pán)歷史新高，全球半導(dǎo)體板塊也隨之聯(lián)動(dòng)走強(qiáng)。
值得注意的是，產(chǎn)能分配的傾斜也加劇了結(jié)構(gòu)性短缺。為滿足HBM3E等先進(jìn)產(chǎn)品的制造需求，兩大韓廠將大量1α納米及更先進(jìn)制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利產(chǎn)品線，導(dǎo)致通用服務(wù)器DRAM的產(chǎn)出受限。這種“擠出效應(yīng)”使得原本就處于復(fù)蘇通道的服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)雪上加霜。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2026年全年服務(wù)器DRAM平均價(jià)格同比漲幅可能超過(guò)140%，其中Q1將成為關(guān)鍵拐點(diǎn)。供需方面，預(yù)計(jì)2026年全球DRAM位元供應(yīng)量增幅僅為15%-20%，而需求增速將達(dá)到20%-25%，供需缺口持續(xù)擴(kuò)大的態(tài)勢(shì)難以逆轉(zhuǎn)。
受此影響，下游終端廠商壓力陡增。PC、智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)成本占比顯著上升，部分品牌已開(kāi)始醞釀提價(jià)或調(diào)整產(chǎn)品配置策略。與此同時(shí)，三星與SK海力士2026年?duì)I業(yè)利潤(rùn)將有望分別達(dá)到155萬(wàn)億韓元和148萬(wàn)億韓元，較2025年實(shí)現(xiàn)2.5倍以上的激增，毛利率有望突破60%，七年來(lái)首次超越臺(tái)積電。
這場(chǎng)由AI點(diǎn)燃的存儲(chǔ)漲價(jià)潮，不僅反映了技術(shù)演進(jìn)對(duì)硬件基礎(chǔ)的深層依賴，也揭示了全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈在高確定性需求面前的脆弱性與博弈張力。未來(lái)幾個(gè)季度，DRAM市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)、產(chǎn)能調(diào)配以及客戶應(yīng)對(duì)策略，將持續(xù)成為觀察全球科技產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)的重要窗口。
